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    • 专利摘要:
    Ein Spannungsabwärtsumsetzer für eine Halbleiterspeichervorrichtung zum Umsetzen einer externen Spannung zu einer internen Spannung mit niedrigerem Wert für die Vorrichtung weist einen Spannungsgenerator, der eine Referenzspannung erzeugt, die dem Wert der internen Spannung entspricht, einen Komparator, der Eingänge mit entgegengesetzter Polarität aufweist, zum Erzeugen eines verstärkten Ausgangssteuersignals und eine Hochzieh-Vorrichtung auf, die mit der externen Spannung arbeitet, die das Steuersignal von dem Komparator empfängt, um die interne Spannung als Eingabe zu erzeugen. Ein Doppel-Source-Folger befindet sich zwischen dem Referenzspannungsgenerator und dem Komparator und weist zwei Abschnitte auf, die kreuzgekoppelte Eingänge aufweisen, die die interne Referenzspannung bzw. die interne Spannung empfangen, um Ausgangsspannungen zu erzeugen, die sich in entgegengesetzte Richtungen bewegen, wobei jede derselben an einen Eingang des Komparators angelegt wird, wobei die Differenz zwischen Vintref und Vint in einen Pegel in einem Bereich übersetzt wird, der durch den Komparator besser verstärkt werden kann.
    公开号:DE102004004881A1
    申请号:DE102004004881
    申请日:2004-01-30
    公开日:2004-08-26
    发明作者:Sungwon Suh
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H03K19-0185
    专利说明:
    [0001] Die vorliegende Erfindung beziehtsich auf einen Spannungsabwärtsumsetzerfür Halbleiterspeichervorrichtungen,wie z. B. einen synchronen DRAM, SRAM und weitere Speichervorrichtungen, diemit einer externen Spannung mit sehr niedrigem Wert arbeiten.
    [0002] Halbeiterspeicherschaltungen sindgut integrierte Schaltungsvorrichtungen, oftmals Speicherchip genannt.Im allgemeinen arbeiten Speicherschaltungen, wie z. B. ein synchronerDRAM, mit einer externen Spannung mit sehr niedrigem Wert als Leistungsversorgung.Dies gilt insbesondere fürderartige Speichervorrichtungen, die in mobilen Anwendungen verwendetwerden, wie z. B. Hand- und Laptop-Computern. Ein Spannungsabwärtsumsetzerist üblicherweiseals ein einstückigesTeil des Speichervorrichtungsschaltungsaufbaus vorgesehen. Der Spannungsabwärtsumsetzerreduziert den Wert der Leistungsversorgungsspannung Vext der externen Quelle,wie z. B. einer Batterie, auf eine niedrigere Spannung Vint, dieverwendet wird, um eine Spannung zu den Speicherzellen und anderenPeripherieschaltungen der Vorrichtung zu liefern. Ein typischerWert von Vext wäre1,8 V und fürVint 1,5 V. Der Spannungsabwärtsumsetzerkann außerdemverwendet werden, um einen Leistungsverbrauch bei einem Normalbetriebder Speichervorrichtung zu reduzieren und einen Leckstrom der Speicherzellenwährendeines Betriebsmodus mit sehr reduzierter Leistung, wenn die Speichervorrichtungnicht aktiv ist, zu reduzieren.
    [0003] 1 zeigteine herkömmlicheSpannungsabwärtsumsetzerschaltung 1,die in Halbleiterspeichern verwendet wird. Alle der Komponentenaus 1 sind ein einstückiges Teildes Speicherchips (der integrierten Schaltung). Die Schaltung 1 wird durchdie Vext-Quelle mit Leistung versorgt und weist einen Spannungsgenerator 10 auf,der eine Referenzspannung des Pegels Vintref erzeugt. Der Referenzspannungsgenerator 10 kannjeden herkömmlichenAufbau aufweisen, wie z. B. den in 3 des US-Patents5,309,399 gezeigten, oder eine weitere ähnliche Schaltung. Der Generator 10 liefertVintref an einen (–)-Eingangeines herkömmlichenDifferenz-(Operations-)Verstärkers 20,der als ein Komparator wirkt. Der Pegel von Vintref ist der erwünschte Pegelvon Vint, der verwendet werden soll, um die Speicherzellen und Peripherieschaltungselemente desChips zu betreiben. Das Ausgangssignal des Komparators 20 wirdan die Gate-Elektrodeeines Hochziehtransistors 30 angelegt. Der Transistor 30 istdarstellend als PMOS-Typ gezeigt, kann jedoch auch vom NMOS-Typsein, wenn Spannungen geeigneter Polarität verwendet werden.
    [0004] Die Source-Elektrode des PMOS-Hochzieh-Transistors 30 empfängt dieSpannung Vext, die durch eine Leitung des Transistors gesteuertwerden soll. Die Ausgangsspannung Vint, die an den Schaltungsaufbauauf dem Chip geliefert werden soll, wie z. B. ein Array von Speicherzellenund einen Peripherieschaltungsaufbau, wird von der Drain-Elektrode desTransistors 30 genommen. Die Spannung Vint wird außerdem anden zweiten (+)-Eingang des Komparatorverstärkers 20 angelegt.So wird, wie zu sehen ist, die Leitung des Transistors 30 durchdas Ausgangssignal des Komparators 20 gesteuert, der dieDifferenz zwischen den Pegeln der Referenzspannung Vintref und derAusgangsspannung Vint verstärkt,um die erwünschteSpannung Vint zu erzeugen.
    [0005] Fortschritte in der Speichertechnologiegehen in eine Richtung, die Anzahl von Speicherzellen auf einemChip zu erhöhenund die Größe und Spannungspegelausgabeder externen Leistungsversorgungsbatterien zu senken. Der letztereFaktor führt zueinem Rückgangdes Pegels der internen Spannung Vint, die für den vorrichtungsinternenSchaltungsaufbau, einschließlichder Speicherzellen, verfügbarist.
    [0006] In Schaltungen des Stands der Technikarbeitet der Komparator 20 in dem Fall, bei dem die ReferenzspannungVintref nahe an der externen Spannung Vext ist, in dem Betriebsbereich,der eine sehr geringe Empfindlichkeit aufweist. Dies bedeutet, daß der Komparator 20 dieSpannungsdifferenz zwischen Eingängennicht verstärkenkann und seine Spannungsregelung ausfällt. Dies ist in 1A gezeigt, die eine Gleichstromanalyseist, bei der die vertikale Achse die Ausgangsspannung des Komparatorsist und die horizontale Achse die Spannung Vint. In der Analysegilt Vext = 1,65 V und Vintref variiert von 0,65 V bis 1,55 V (Stufenvon 0,1 V). Wie dies zu sehen ist, erfährt, wenn Vintref > 1,3 V gilt, die Komparatorausgabeeine Fehlfunktion. Wenn Vint größer alsVintref ist, sollte die Komparatorausgabe ein Spannungspegel nahebei Vext sein, um den Hochzieh-Transistor (30)abzuschneiden. Falls dies nicht der Fall ist, wird die Hochzieh-Vorrichtungeventuell nicht durch den Komparator gesteuert und der Spannungsabwärtsumsetzerkann Vint, die gleich Vintref ist, nicht regeln. Der Ausfall geschiehtaufgrund eines zu kleinen Spannungsgewinns des Komparators, wenndie Zielspannung Vint (= Vintref) nahe bei Vext ist. Wenn die Eingangsspannungenin den Komparator zu niedrigeren Spannungen bewegt werden, bei diesemBeispiel < 1,3V, kann der Komparator gut arbeiten. Dies bedeutet jedoch, daß ein weitererSpannungspegelübersetzerzwischen den Eingängen(Vintref und Vint) und dem Komparator benötigt wird.
    [0007] Deshalb weist die Schaltung aus 1 in dem Fall eine Einschränkung auf,in dem sie einen Wert von Vint regeln muß, der nahe an dem Pegel derexternen Spannung Vext ist, wie dies z. B. Niederspannungsanwendungenerfordern.
    [0008] Es ist die Aufgabe der vorliegendenErfindung, einen Spannungsabwärtsumsetzermit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
    [0009] Diese Aufgabe wird durch einen Spannungsabwärtsumsetzergemäß Anspruch1 gelöst.
    [0010] Die vorliegende Erfindung richtetsich auf einen neuartigen Spannungsabwärtsumsetzer für einenSpeicherchip, der in Situationen, in denen der Wert der externenSpannung Vext niedrig ist, einen stabileren Betrieb liefert. Gemäß der Erfindungwird ein Spannungsabwärtsumsetzerbereitgestellt, in dem es einen Doppel-Source-Folger zwischen dem Referenzspannungsgeneratorund dem (Operationsverstärker-)Komparator gibt. Der Doppel-Source-Folger weist zwei Abschnitteauf, deren Eingängenkreuzgekoppelt sind, so daß dieAbschnitte in entgegengesetzten Richtungen leiten. Der Referenzspannungsgeneratorliefert die Referenzspannung Vintref an einen Eingang jedes derbeiden Folgerabschnitte und die Ausgangsspannung Vint des Hochzieh-Transistorswird an den anderen Eingang jedes Folgerabschnitts angelegt. JederFolgerabschnitt erzeugt eine Ausgangsspannung, die die Differenzzwischen den Eingangsspannungen Vintref und Vint ist, wobei dieAusgängeder beiden Abschnitte jedoch in entgegengesetzten Richtungen sind.
    [0011] Die sich entgegengesetzt bewegendeAusgabe jedes der Folgerabschnitte wird an eines des positiven (+)und negativen (–)Eingangs des Komparators angelegt. Der Komparator, dessen Ausgabe denHochzieh-Transistor steuert, kann einen hohen Gewinn aufweisen.So verstärktder Komparator, da jede der beiden Ausgangsspannungen mit sich entgegengesetztbewegender Polaritätdes Doppel-Source-Folgers an einen des +– und des --Eingangs des (Operationsverstärker-)Komparatorsangelegt wird, ein Signal mit einem Wert, der größer als nur die Differenz zwischenVintref und Vint ist.
    [0012] Folglich löst die vorliegende Erfindungdas Problem dadurch, daß derDoppel-Source-Folger die Eingangsspannungsdifferenz zwischen Vintrefund Vint zu einer weiteren Spannungsdifferenz verschiebt, die durchden Komparator leichter verstärkt werdenkann. Gemäß der Erfindungist der Spannungsgewinn des Doppel-Source-Folgers größer als 1,0und der Komparator 20 kann die verschobene Spannungsdifferenzmit hoher Empfindlichkeit verstärken.
    [0013] Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegendenErfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beigefügten Zeichnungennäher erläutert. Eszeigen:
    [0014] 1 einDiagramm eines herkömmlichen Spannungsabwärtsumsetzers;
    [0015] 1A einDiagramm der Funktionsweise des Spannungsabwärtsumsetzers aus 1;
    [0016] 2 einDiagramm des Spannungsabwärtsumsetzersder Erfindung;
    [0017] 2A einDiagramm, das die Funktionsweise der Schaltung aus 2 darstellt; und
    [0018] 3 einschematisches Diagramm der Doppel-Source-Folger-Schaltungen gemäß der vorliegendenErfindung.
    [0019] Bezug nehmend auf 2 weist der Spannungsabwärtsumsetzerder Erfindung auf dem Speicherchip den Referenzspannungsgenerator 10,den Komparator 20 und den PMOS-Transistor-Hochzieh-Treiber 30 auf,wie zuvor beschrieben wurde. Hier wird die Ausgabe Vintref des Referenzspannungsgenerators 10 andie Eingängemit entgegengesetzter Polaritätder beiden Source-Spannungsfolger 40 und 50 angelegt.Die Source-Folger 40 und 50 weisenden gleichen Aufbau auf und sind unten detailliert beschrieben.Dies bedeutet, daß dieSpannung Vintref an den negativen (–) Eingang des Source-Folgers 40 undden positiven (+) Eingang des Source-Folgers 50 angelegtwird. Die Ausgangsspannung Vint aus dem Hochzieh-Transistor 30 wird anden (+)-Eingang des Source-Folgers 40 undden (–)-Eingangdes Folgers 50 angelegt. Die Ausgabe Vint des Transistors 30 wirdebenso an den anderen Schaltungsaufbau auf dem Chip geliefert. DerSource-Folger 40 erzeugt eine Spannung dv1, die an den positiven(+) Eingang des Komparators 20 angelegt wird, während derSource-Folger eineSpannung dv2 erzeugt, die sich in einer entgegengesetzten Richtungzu der von dv1 bewegt, die an den anderen (–)-Eingang des Komparators 20 angelegtwird. Die verstärkteAusgabe des Komparators wird an die Gate-Elektrode des Hochzieh-Transistors 30 angelegt,um seine Ausgangsspannung Vint zu steuern.
    [0020] Wie zu sehen ist, weisen die Source-Folger 40 und 50 kreuzgekoppelteEingänge,Vintref und Vint, auf. Obwohl der Pegel der Referenzspannung Vintrefnahe an dem der externen Spannung Vext ist, arbeitet der Komparator 20 ineinem Betriebsbereich, der eine hohe Empfindlichkeit aufweist. Diesist in 2A gezeigt, diedarstellend ein Beispiel zeigt, bei dem Vintref = 1,55 V und Vext= 1,65 V gilt. Der Doppel-Source-Folger übersetzt die Spannungsdifferenz zwischenVint und Vintref in dv1 und dv2 und die Spannungsdifferenz zwischendv1 und dv2 ist die gleiche oder größer als die Spannungsdifferenzzwischen Vint und Vintref. Dies bedeutet, daß der Doppel-Source-Folgereinen Spannungsgewinn von > 1,0aufweist. Wie in 2A zusehen ist, werden die Eingangsspannungen in den Komparator (dv1und dv2), obwohl der Zielpegel Vint (= Vintref) sehr nahe an Vextist, durch den Doppel-Source-Folger in die Nähe der Mitte (0,8 V) des Betriebsbereichsdes Komparators übersetzt.Dies bedeutet, daß derKomparator die Eingangsspannungsdifferenz mit einem hohen Spannungsgewinnverstärkenkann.
    [0021] 3 zeigtein bevorzugtes Ausführungsbeispielder Doppel-Source-Folger-Schaltungen 40 und 50.Bezug nehmend auf den Source-Folger 40 gibt es eine Mehrzahlvon NMOS-Transistoren,wobei Q1 und Q2 die Eingängesind, wobei ihre Drain-Elektroden mit der BetriebsspannungsquelleVext oder einer weiteren geeigneten Quelle verbunden sind. Die Gate- Elektroden von Q1und Q2 empfangen die Spannungen Vintref bzw. Vint.
    [0022] Die Drain-Elektrode eines TransistorsQ3 dient als ein Stromspiegel und ist mit der Source-Elektrode desTransistors Q1 verbunden. Die Drain-Elektrode eines StromspiegeltransistorsQ4 ist mit der Source-Elektrode des Transistors Q2 verbunden. DieGate-Elektroden der Stromspiegeltransistoren Q3 und Q4 sind miteinanderund mit der Source-Elektrodedes Transistors Q1 verbunden. Die Source-Elektroden der StromspiegeltransistorenQ3 und Q4 sind mit der Drain-Elektrode eines Schalttransistors Q5verbunden, dessen Source-Elektrode mit Masse verbunden ist.
    [0023] Die Gate-Elektrode des SchalttransistorsQ5 empfängtein Freigabesignal EN von einer Schaltung auf dem Speicherchip odervon einer externen Quelle, die steuert, wann der Spannungsabwärtsumsetzerarbeiten soll. Dies bedeutet, daß das Freigabesignal EN denTransistor Q5 leitend macht und den Folgerschaltungsmassenanschluß vervollständigen läßt. DerSpannungsabwärtsumsetzerwird z. B. nicht betrieben, wenn die Speichervorrichtung in einem Modusmit niedriger Leistung ist. Wenn die Spannungen Vintref und Vintan die Eingangstransistoren Q1 und Q2 angelegt werden, werden dieselbenfolglich durch die Stromspiegeltransistoren Q3 und Q4 und den SchalttransistorQ5 geleitet. Die Ausgabe des Folgers 40 ist die Spannungdv1, die an der Source-Elektrode des Transistors Q2 erscheint. DieSpannung dv1 entspricht im Grunde der Differenz zwischen Vintrefund Vint.
    [0024] Der Folger 50 weist einen ähnlichenAufbau wie der Folgen 40 auf, jedoch eine umgekehrte Funktionsweise.Dies bedeutet, daß derEingangstransistor Q1 die Spannung Vint empfängt und der EingangstransistorQ2 die Spannung Vintref empfängt.Die Folgerausgabe dv2 wird an der Source-Elektrode des Transistors Q2 erzeugt.Die Ausgangsspannung dv2 bewegt sich in der entgegengesetzten Richtung zuder Spannung dv1. Bei Betrieb der Doppelfolger 40 und 50 ist, wennder Pegel von Vint unter den von Vintref geht, die Ausgabe dv1 desFolgers 40 kleiner als dv2 des Folgers 50. Umgekehrtweist, wenn der Pegel von Vint überden von Vintref geht, die Spannung dv1 einen höheren Spannungspegel auf als dv2.
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] Spannungsabwärtsumsetzerfür eineHalbleiterspeichervorrichtung zum Umsetzen einer externen Spannungin eine interne Spannung mit niedrigerem Wert für die Vorrichtung, mit folgendenMerkmalen: einem Spannungsgenerator (10) zum Erzeugeneiner Referenzspannung, die dem Wert der internen Spannung entspricht; einemKomparator (20), der Eingänge mit entgegengesetzter Polarität aufweist,zum Erzeugen eines Ausgangssteuerungssignals; einer Hochzieh-Vorrichtung(30), die mit der externen Spannung arbeitet und das Steuersignalvon dem Komparator (20) empfängt, um die interne Spannung alseine Ausgabe zu erzeugen; und einem Source-Folger (40, 50)zwischen dem Referenzspannungsgenerator (10) und dem Komparator (20),wobei der Source-Folger zwei Abschnitte aufweist, die kreuzgekoppelteEingängeaufweisen, wobei jeder der Eingängedie interne Referenzspannung bzw. die interne Spannung empfängt, undwobei die Spannungsausgaben der beiden Abschnitte sich in entgegengesetzteRichtungen bewegen und die Spannungsausgabe jedes Abschnitts alseine Eingabe an einen der beiden Eingänge des Komparators angelegtwird.
    [2] Spannungsabwärtsumsetzergemäß Anspruch 1,bei dem die Hochzieh-Vorrichtung (30) ein Transistor ist,der eine Elektrode, die mit einer Zuführung der externen Spannungverbunden ist, und eine zweite Elektrode aufweist, an der die interneSpannung erzeugt wird.
    [3] Spannungsabwärtsumsetzergemäß Anspruch 2,bei dem der Transistor von dem PMOS-Typ ist, wobei die eine Elektrodedie Source-Elektrode ist und die zweite Elektrode die Drain-Elektrodeist.
    [4] Spannungsabwärtsumsetzergemäß einem derAnsprüche1 bis 3, bei dem jeder Abschnitt des Source-Folgers (40, 50)einen ersten und einen zweiten Transistor, wobei das Referenzspannungssignal aneinen des ersten und des zweiten Transistors angelegt wird und dieinterne Spannung an den anderen des ersten und des zweiten Transistorsangelegt wird, einen dritten Transistor, der mit dem ersten Transistorverbunden ist, als Stromspiegel und einen vierten Transistor, dermit dem zweiten Transistor verbunden ist, als Stromspiegel umfaßt, wobeidie Ausgangsspannung des Abschnitts an der Verbindungsstelle deszweiten und des vierten Transistors erscheint.
    [5] Spannungsabwärtsumsetzergemäß Anspruch 4,der ferner einen fünftenTransistorumsetzer zwischen dem zweiten und dem vierten Transistorund Masse aufweist und ansprechend auf ein Freigabesignal (EN) ist,um den ersten, zweiten, dritten und vierten Transistor in einenBetrieb freizugeben.
    [6] Spannungsabwärtsumsetzergemäß einem derAnsprüche1 bis 5, bei dem jeder des ersten, zweiten, dritten und viertenTransistors ein NMOS-Transistor ist, wobei die Gate-Elektrode eines desersten und des dritten Transistors die interne Spannung empfängt unddie Gate-Elektrodedes anderen des ersten und des dritten Transistors die Referenzspannungempfängt,wobei die Drain-Elektroden des ersten und dritten Transistors mitder externen Spannung verbunden sind, wobei die Source-Elektrodendes ersten und des dritten Transistors mit den Drain-Elektrodendes zweiten und des vierten Transistors verbunden sind, und wobeidie Ga te-Elektroden des zweiten und des vierten Transistors miteinanderverbunden sind und die Ausgangsspannung an der Verbindung des Drainsdes zweiten Transistors und der Source des ersten Transistors genommenwird.
    [7] Spannungsabwärtsumsetzergemäß Anspruch 6,der ferner einen fünftenNMOS-Transistor aufweist, der eine Drain-Elektrode, die mit derSource-Elektrode jedes des zweiten und des vierten Transistors verbundenist, eine Source-Elektrode, die mit Masse verbunden ist, und eineGate-Elektrode aufweist, die ein Freigabesignal (EN) empfängt, umden fünftenTransistor leitend zu machen und die Schaltung jedes Source-Folgerszwischen der externen Spannung und Masse zu schließen.
    [8] Spannungsabwärtsumsetzergemäß Anspruch 6oder 7, bei dem die Hochzieh-Vorrichtung (30) ein Transistordes PMOS-Typs ist.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2004-08-26| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-10-11| 8127| New person/name/address of the applicant|Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
    2012-06-08| R016| Response to examination communication|
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